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Homray Semiconductor Technology

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Substituição do transistor Infineon IGBT FD600R06ME3-S2


Preço por unidade:

Não informado

Preço FOB:

Não informado

Quantidade Mínima de Compra:

Não informado

Tipo de pagamento:

T/T (Transferência Bancária)

Porto de Preferência:

Não informado

Referência:

Não informado


Descrição

Substituição do transistor Infineon IGBT FD600R06ME3-S2
Como fornecedor e fabricante líder do módulo de alimentação IGBT, fornecemos transistor Infineon IGBT, como FD600R06ME3-S2. Nós fornecemos um preço muito competitivo para você. entre em contato conosco para obter o arquivo PDF de especificação detalhada. O módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) é um dispositivo necessário para uso de inversores em muitos tipos de equipamentos industriais, e impulsionou a tendência para altas correntes e alta tensão desde 1990.

  • fabricante de módulos igbt
  • fornecedor de módulos de energia IGBT

Capacidade de produção:

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Prazo de Entrega:

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Incoterms:

EXW - Ex Works

Informações da Embalagem:

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  • fabricante de módulos igbt
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  • icone de telefone +86 xxxxxxxx
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