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Homray Semiconductor Technology

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Alternativas Infineon FD600R06ME3-S2 fabricante China IGBT transistor


Preço por unidade:

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Preço FOB:

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Quantidade Mínima de Compra:

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Tipo de pagamento:

T/T (Transferência Bancária)

Porto de Preferência:

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Referência:

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Descrição

Alternativas Infineon FD600R06ME3-S2 fabricante China IGBT transistor

Como fornecedor e fábrica de módulos IGBT profissionais, probide Alternativas Infineon FD600R06ME3-S2 e outros Infineon ou Fuji IGBT substituíram tipo a preço competitivo. entre em contato conosco hoje e obtenha arquivo PDF detalhado, garantia de qualidade.

Aplicativos
Motoristas de Automóveis
Amplificador de unidade de servo AC e DC
UPS (Fontes de Alimentação Não Interruptíveis)

A tecnologia Homray Semiconductor fornece módulos de energia IGBT Si (Silicon). Ele pode substituir o módulo Infineon IGBT FP10R12W1T4 etc. Nosso módulo IGBT se divide em pequena faixa de corrente de energia de 8A~200A, faixa de corrente de potência média de 25A~600A e faixa de corrente de alta potência de 200A~3600A.

  • Fabricante de módulos igbt
  • fornecedor de módulo de energia IGBT
  • módulo Infineon IGBT

Capacidade de produção:

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Prazo de Entrega:

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Incoterms:

EXW - Ex Works

Informações da Embalagem:

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Mais sobre a
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  • Fabricante

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  • fabricante de módulos igbt
  • fornecedor de módulos de energia IGBT

Contato e localização
  • icone de usuario Anna Zhang
  • icone de telefone +86 xxxxxxxx
  • map-marker suzhou / jiangsu | China

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